ABC ATEC - IATF16949認証を取得した高性能多層チップインダクタ
ABC ATECは、高いインダクタンス、精密な公差、優れたQファクターを持つプレミアムマルチレイヤーチップインダクタをRFアプリケーション向けに提供しています。IATF16949認証を受けた当社のコンポーネントは、優れたインピーダンス周波数応答と高密度PCBアセンブリのためのコンパクトな寸法を特徴としています。プロフェッショナルなインダクタ製造における45年の専門知識があります。
多層チップインダクタ
高インダクタンス、高精度トレランス、高Q、高SRFを持つ多層チップインダクタは、多層加工技術を使用して良好なインピーダンス-周波数応答曲線を提供します。高密度PCBアセンブリ用のコンパクトで精密な寸法パッケージが利用可能です。
82nH、300mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH160882NJL
82nH、300mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数（SRF）を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。
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100nH、300mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH1608R10JL
100nH、300mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数（SRF）を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。
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120nH、300mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH1608R12JL
120nH、300mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数（SRF）を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。
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150nH、250mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH1608R15JL
150nH、250mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数（SRF）を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。
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180nH、250mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH1608R18JL
180nH、250mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数（SRF）を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。
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220nH、250mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH1608R22JL
220nH、250mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数（SRF）を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。
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0.5µH、900mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP1608R50MP
0.5µH、900mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMPシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。
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1µH、750mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP16081R0MP
1µH、750mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMPシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションでの使用に適しています。
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2.2µH、650mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP16082R2MP
2.2µH、650mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMPシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションでの使用に適しています。
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1µH、1000mA、2012 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP20121R0MP
1µH、1000mA、2012年のMPシリーズ多層チップインダクタは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。スマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションでの使用に適しています。
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1.5µH、800mA、2012年RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP20121R5MP
1.5µH、800mA、2012年のMPシリーズ多層チップインダクタは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。スマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。
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2.2µH、800mA、2012年RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP20122R2MP
2.2µH、800mA、2012年のMPシリーズ多層チップインダクタは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。スマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。
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高Q多層チップインダクタはRF回路の性能をどのように向上させるか？
業界標準を超えるQファクターを持つ私たちの多層チップインダクタは、RF回路の信号の整合性と電力効率を大幅に向上させることができます。ワイヤレスアプリケーションに最適化された自己共振周波数を持つこれらのコンポーネントは、信号損失を最小限に抑え、設計における電力消費を削減します。次世代RF製品で優れた性能を達成するために、私たちの精密製造されたインダクタがどのように役立つかを話し合うため
各多層チップインダクタは、セラミックボディ、銀の内部導体、Ag/Ni/Sn端子電極で構成されており、優れた電気性能とはんだ付け性を確保しています。 現在の定格は310mAから470mA、インダクタンス値は1nHから3.6nHの範囲で、これらのコンポーネントは要求の厳しいRF回路に必要な精度の公差と安定性を提供します。 IATF16949の品質認証と45年の製造経験に裏打ちされたABC ATECの多層チップインダクタは、自動車、通信、医療、消費者電子機器のアプリケーションにおいて、一貫した性能を提供します。これらのアプリケーションでは、サイズの制約と電気性能が妥協できません。