多層チップインダクタ | 高品質電力インダクタのプレミア製造業者 | ABC ATEC

セラミックボディ、銀の内部導体、Ag/Ni/Sn端子電極を備えた多層チップインダクタインダクタ、トランス、コネクタの熱解決策、機械部品のカスタマイズサービスを提供しています。

セラミックボディ、銀の内部導体、Ag/Ni/Sn端子電極を備えた多層チップインダクタ

多層チップインダクタ

高インダクタンス、高精度トレランス、高Q、高SRFを持つ多層チップインダクタは、多層加工技術を使用して良好なインピーダンス-周波数応答曲線を提供します。高密度PCBアセンブリ用のコンパクトで精密な寸法パッケージが利用可能です。


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多層チップインダクタ

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82nH、300mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
82nH、300mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH160882NJL

82nH、300mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数(SRF)を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。

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100nH、300mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
100nH、300mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH1608R10JL

100nH、300mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数(SRF)を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。

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120nH、300mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
120nH、300mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH1608R12JL

120nH、300mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数(SRF)を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。

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150nH、250mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
150nH、250mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH1608R15JL

150nH、250mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数(SRF)を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。

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180nH、250mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
180nH、250mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH1608R18JL

180nH、250mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数(SRF)を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。

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220nH、250mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
220nH、250mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MH1608R22JL

220nH、250mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMHシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントであり、高い自己共振周波数(SRF)を持ち、セラミックボディは-55°Cから+125°Cまでの動作温度に耐えることができます。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。

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0.5µH、900mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
0.5µH、900mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP1608R50MP

0.5µH、900mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMPシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。

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1µH、750mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
1µH、750mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP16081R0MP

1µH、750mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMPシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションでの使用に適しています。

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2.2µH、650mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
2.2µH、650mA、1608 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP16082R2MP

2.2µH、650mA、1608マルチレイヤーチップインダクタMPシリーズは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。これらはスマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションでの使用に適しています。

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1µH、1000mA、2012 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
1µH、1000mA、2012 RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP20121R0MP

1µH、1000mA、2012年のMPシリーズ多層チップインダクタは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。スマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションでの使用に適しています。

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1.5µH、800mA、2012年RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
1.5µH、800mA、2012年RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP20121R5MP

1.5µH、800mA、2012年のMPシリーズ多層チップインダクタは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。スマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。

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2.2µH、800mA、2012年RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ - 高周波多層チップインダクタ
2.2µH、800mA、2012年RFインダクタ、マルチレイヤーチップインダクタ
MP20122R2MP

2.2µH、800mA、2012年のMPシリーズ多層チップインダクタは、コンパクトで低背のコンポーネントです。フェライト材料で構成されており、低DCRで高いインダクタンスと電流範囲を提供します。スマートフォン、個人デバイス、高周波回路アプリケーションに適しています。

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多層チップインダクタ | 自動車電子機器用の高効率チップインダクタ | ABC ATEC

ABC ATECは、1979年に台湾の楊梅で設立され、高品質のインダクタの主要な製造業者です。多層チップインダクタ、チョーク、フィルター、チップインダクタ、パワーインダクタ、コモンチョーク、RFインダクタを含む幅広い製品ラインがあります。40年以上の業界経験を持つ私たちは、重要な生産技術と多数の特許を開発・保有しており、インダクタ製造における革新と品質の最前線に立っています。

45年の専門的なインダクタ設計と製造の経験を持ち、インダクタ、トランス、コネクタ、熱ソリューション、機械部品のためのカスタマイズされたサービスを提供しています。私たちのソリューションは、自動車、産業、通信、医療、消費者電子機器など、さまざまな分野に対応しています。私たちは、製品の最高基準を保証するIATF16949品質認証を取得したことを誇りに思っています。さらに、私たちは常に革新を続けており、提供内容を向上させるための重要な生産技術と特許を保有しています。

ABC ATECは1979年から顧客に効率的なパワーインダクタを提供しています。先進的な技術と45年の経験を持つABC ATECは、常に各顧客の要求に応えることを保証しています。