
半シールドインダクタ
小さな磁性材料粒子を混ぜた接着剤で半シールドインダクタを作り、コイルの外側にコーティングします。これにより、コストを抑えつつほぼシールド効果を得ることができ、中型パワーデバイスにとって高C/Pソリューションとなります。
0.47µH、3.8A、2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN2512R47MF
0.47µH、3.8A、2512 セミシールドパワーインダクタ ESN シリーズは、磁気接着剤コーティング構造を持ち、ノイズを大幅に低減し、閉じた磁気回路構造設計により、磁気漏れを減少させ、強力なEMI耐性を提供します。...
詳細 リストに追加する0.56µH、3.6A、2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN2512R56MF
0.56µH、3.6A、2512 セミシールドパワーインダクタ ESN シリーズは、磁気接着剤コーティング構造を持ち、ノイズを大幅に低減し、磁気漏れを減らし、強力なEMI耐性を持つ閉じた磁気回路構造設計です。...
詳細 リストに追加する0.68µH、3A、2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN2512R68M
0.68µH、3A、2512 セミシールドパワーインダクタ ESN シリーズは、磁気接着剤コーティング構造を採用しており、ノイズを大幅に低減し、閉じた磁気回路構造設計により、磁気漏れを減少させ、強力なEMI耐性を実現しています。...
詳細 リストに追加する1µH, 2.25A, 2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN25121R0MF
1µH、2.25A、2512セミシールドパワーインダクタESNシリーズは、磁気接着剤コーティング構造を採用しており、ノイズを大幅に低減し、閉じた磁気回路構造設計により、磁気漏れを減少させ、強力なEMI耐性を実現しています。...
詳細 リストに追加する1.2µH、2.2A、2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN25121R2MF
1.2µH、2.2A、2512 セミシールドパワーインダクタ ESN シリーズは、磁気接着剤コーティング構造を採用しており、ノイズを大幅に低減し、閉じた磁気回路構造設計により、磁気漏れを減少させ、強力なEMI耐性を実現しています。...
詳細 リストに追加する1.5µH、2A、2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN25121R5MF
1.5µH、2A、2512 セミシールドパワーインダクタ ESN シリーズは、磁気接着剤コーティング構造を採用しており、ノイズを大幅に低減し、閉じた磁気回路構造設計により、磁気漏れを減少させ、強力なEMI耐性を実現しています。...
詳細 リストに追加する1.8µH、1.95A、2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN25121R8MF
1.8µH、1.95A、2512セミシールドパワーインダクタESNシリーズは、磁気接着剤コーティング構造を持ち、ノイズを大幅に低減し、磁気漏れを減らし、強力なEMI耐性を持つ閉じた磁気回路構造設計です。...
詳細 リストに追加する2.2µH、1.75A、2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN25122R2MF
2.2µH、1.75A、2512 セミシールドパワーインダクタ ESN シリーズは、磁気接着剤コーティング構造を採用しており、ノイズを大幅に低減し、閉じた磁気回路構造設計により、磁気漏れを減少させ、強力なEMI耐性を実現しています。...
詳細 リストに追加する2.7µH、1.3A、2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN25122R7MF
2.7µH、1.3A、2512セミシールドパワーインダクタESNシリーズは、磁気接着剤コーティング構造を採用しており、ノイズを大幅に低減し、閉じた磁気回路構造設計により、磁気漏れを減少させ、強力なEMI耐性を実現しています。...
詳細 リストに追加する3.3µH、1.2A、2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN25123R3MF
3.3µH、1.2A、2512 セミシールドパワーインダクタ ESN シリーズは、磁気接着剤コーティング構造を採用しており、ノイズを大幅に低減し、閉じた磁気回路構造設計により、磁気漏れを減少させ、強力なEMI耐性を実現しています。...
詳細 リストに追加する4.7µH, 1.1A, 2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN25124R7MF
4.7µH、1.1A、2512セミシールドパワーインダクタESNシリーズは、磁気接着剤コーティング構造を持ち、ノイズを大幅に低減し、閉じた磁気回路構造設計により、磁気漏れを減少させ、強力なEMI耐性を実現しています。...
詳細 リストに追加する5.6µH, 1A, 2512パワーインダクタ、セミシールドインダクタ
ESN25125R6MF
5.6µH、1A、2512 セミシールドパワーインダクタ ESNシリーズは、磁気接着剤コーティング構造を採用しており、ノイズを大幅に低減し、閉じた磁気回路構造設計により、磁気漏れを減少させ、強力なEMI耐性を実現しています。...
詳細 リストに追加するセミシールドインダクタは、コストを削減しながら、パワーマネジメント回路の効率をどのように向上させることができますか?
当社のセミシールドインダクタは、完全シールドコンポーネントのごく一部のコストで、ほぼ完全なEMIシールドを提供します。フェライトコアに磁性粒子を含浸させた樹脂コーティングを施したこれらのインダクタは、DC-DCコンバータや電力管理回路で優れた性能を発揮し、全体のBOMコストを削減します。エンジニアは、回路性能やEMI適合性を損なうことなく、最大15%のコスト削減を報告しています。次の設計でテストするためのサンプルをリクエストしてください。
各セミシールドインダクタは、厳格なIATF16949品質認証基準の下で製造されており、一貫した性能と信頼性を保証しています。 3015シリーズは、スペースが制約されたアプリケーション向けに最適化されたロープロファイルSMDデザインを特徴としており、優れた磁場の封じ込めを提供します。 45年のインダクタ製造の専門知識を持つ当社のセミシールドインダクタは、効果的なEMI抑制と電力管理を必要とする現代の電子設計において、性能、サイズ、コスト効率の完璧なバランスを提供します。