Halbgeschützte Leistungsinduktivitäten: Kostenwirksame EMI-Abschirmungslösung.

Ferritkern-Induktivitäten mit magnetischer Harzbeschichtung bieten optimale Leistung für mittlere Leistungsanwendungen mit hervorragendem Kosten-Leistungs-Verhältnis.

Teilabgeschirmter Induktor besteht aus Ferrit mit einer magnetischen Harzbeschichtung auf der Spule, um einen teilabgeschirmten Induktor herzustellen.

Teilabgeschirmter Induktor

Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.


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Teilabgeschirmter Induktor

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3,3µH, 2,2A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
3,3µH, 2,2A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI4018CT3R3M

3,3uH, 2,2A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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4,7µH, 1,9A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
4,7µH, 1,9A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI4018CT4R7M

4,7uH, 1,9A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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6,8µH, 1,5A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
6,8µH, 1,5A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI4018CT6R8M

6,8uH, 1,5A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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10µH, 1,3A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
10µH, 1,3A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI4018CT100M

10uH, 1.3A, 4018 semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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15µH, 1A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
15µH, 1A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
TPI4018CT150M

15uH, 1A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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22µH, 0,9A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
22µH, 0,9A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI4018CT220M

22uH, 0.9A, 4018 semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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33µH, 0,7A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
33µH, 0,7A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
TPI4018CT330M

33uH, 0.7A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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47µH, 0,6A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
47µH, 0,6A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
TPI4018CT470M

47uH, 0,6A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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68µH, 0,5A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
68µH, 0,5A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI4018CT680M

68uH, 0.5A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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100µH, 0,42A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
100µH, 0,42A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI4018CT101M

100uH, 0,42A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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150µH, 0,32A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
150µH, 0,32A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI4018CT151M

150uH, 0.32A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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220µH, 0,28A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor - Niedrigprofil halbgeschirmte SMD Leistungsinduktivität
220µH, 0,28A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
TPI4018CT221M

220uH, 0.28A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...

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Ergebnis 25 - 36 von 627

Wie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?

Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.

Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.