
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
33µH, 0,7A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI3015CT330M
Der 33uH, 0.7A, 3015 semi-abgeschirmte SMD-Leistungsinduktor ist für einen Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen39µH, 0,5A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI3015CT390M
Der 39uH, 0.5A, 3015 semi-abgeschirmte SMD-Leistungsinduktor ist für einen Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen47µH, 0,45A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
TPI3015CT470M
Der 47uH, 0.45A, 3015 semi-abgeschirmte SMD-Leistungsinduktor ist für einen Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen68µH, 0,35A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
TPI3015CT680M
Der 68uH, 0.35A, 3015 semi-abgeschirmte SMD-Leistungsinduktor ist für einen Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen82µH, 0,32A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
TPI3015CT820M
Der 82uH, 0.32A, 3015 semi-abgeschirmte SMD-Leistungsinduktor ist für einen Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen100µH, 0,3A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI3015CT101M
100uH, 0.3A, 3015 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,82µH, 4A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI4018CTR82N
0,82uH, 4A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1µH, 3.7A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
TPI4018CT1R0N
1uH, 3.7A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,2µH, 3,5A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
TPI4018CT1R2N
1,2uH, 3,5A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,5µH, 3,1A, 4018 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI4018CT1R5N
1,5uH, 3,1A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,2µH, 2,9A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
TPI4018CT2R2M
2,2uH, 2,9A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,7µH, 2,3A, 4018 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
TPI4018CT2R7M
2,7uH, 2,3A, 4018 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen die Verwendung...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.