
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
3,3µH, 2,5A, 5015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN50153R3YF
3,3µH, 2,5A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebeschichtstruktur,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen4,7µH, 2,1A, 5015 Leistungsinduktivität, halb abgeschirmte Induktivität
ESN50154R7YF
4,7µH, 2,1A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen6,8µH, 1,65A, 5015 Leistungsinduktivität, halb abgeschirmte Induktivität
ESN50156R8MF
6,8µH, 1,65A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen10µH, 1,45A, 5015 Leistungsinduktor, halb abgeschirmter Induktor
ESN5015100MF
10µH, 1,45A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen15µH, 1.2A, 5015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN5015150MF
15µH, 1.2A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen22µH, 1A, 5015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN5015220MF
22µH, 1A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen33µH, 0,95A, 5015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN5015330MF
33µH, 0,95A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen47µH, 0,88A, 5015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN5015470MF
47µH, 0,88A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen68µH, 0,72A, 5015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN5015680MF
68µH, 0,72A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,22µH, 8A, 5020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN5020R22YF
0,22µH, 8A, 5020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebeschichtstruktur,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,24µH, 8A, 5020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN5020R24YF
0,24µH, 8A, 5020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,33µH, 7,5A, 5020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN5020R33YF
0,33µH, 7,5A, 5020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebeschichtstruktur,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.