
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
100µH, 0,6A, 4030 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN4030101MF
100µH, 0,6A, 4030 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen120µH, 0,55A, 4030 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN4030121MF
120µH, 0,55A, 4030 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen150µH, 0,5A, 4030 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN4030151MF
150µH, 0,5A, 4030 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen180µH, 0,4A, 4030 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN4030181MF
180µH, 0,4A, 4030 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen220µH, 0,4A, 4030 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN4030221MF
220µH, 0,4A, 4030 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen330µH, 0,3A, 4030 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN4030331MF
330µH, 0,3A, 4030 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen470µH, 0,3A, 4030 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN4030471MF
470µH, 0,3A, 4030 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,22µH, 7,6A, 5015 Leistungsinduktivität, halb abgeschirmte Induktivität
ESN5015R22YF
0,22 µH, 7,6 A, 5015 Halbgeschirmte Leistungsinduktivität der ESN-Serie mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,68µH, 6A, 5015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN5015R68YF
0,68µH, 6A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1µH, 4.5A, 5015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50151R0YF
1µH, 4.5A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,5µH, 3,5A, 5015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50151R5YF
1,5µH, 3,5A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,2µH, 3A, 5015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN50152R2YF
2,2µH, 3A, 5015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.