ABC ATEC Полуэкранированные силовые индуктивные элементы | Производство, сертифицированное IATF16949
Полуэкранированные дроссели ABC ATEC имеют ферритовые сердечники с магнитным резиновым покрытием, обеспечивая производительность, подобную экранированию, по более низким ценам. Наша сертифицированная по IATF16949 производственная база гарантирует надежные силовые дроссели для автомобильной, промышленной и потребительской электроники с 45-летним опытом. Ознакомьтесь с нашим обширным ассортиментом полуэкранированных дросселей от 1µH до 22µH.
Полускрытый дроссель
Полускрытый дроссель с клеем, смешанным даже с маленькими частицами магнитного материала, затем покрытый снаружи катушки. Он может обеспечить почти экранирующий эффект при небольшом увеличении стоимости, что является высокоэффективным решением для устройств средней мощности.
56µH, 0.7A, 5030 силовой индуктивность, полупокрытый индуктивность
MSN5030560MSB
56uH, 0.7A полупокрытый SMD автомобильный силовой индуктивность,...
Подробности Добавить в список
68µH, 0.65A, 5030 силовой индуктивность, полупокрытый индуктивность
MSN5030680MSB
68uH, 0.65A полупокрытый SMD автомобильный силовой индуктивность,...
Подробности Добавить в список
100µH, 0.45A, 5030 силовой индуктивность, защищенный индуктивность
MSN5030101MSB
100uH, 0.45A полупокрытый SMD автомобильный силовой индуктивность...
Подробности Добавить в список
1.5µH, 5.2A, 5040 Индуктивность, Полуэкранированный индуктивность
MSN50401R5YSB
1.5uH, 5.2A Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
2.2µH, 4.5A, 5040 Индуктивность, Полуэкранированный индуктивность
MSN50402R2YSB
2.2uH, 4.5A Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
3.3µH, 4A, 5040 Индуктивность, Полуэкранированный индуктивность
MSN50403R3MSB
3.3uH, 4A Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
4.7µH, 3.5A, 5040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
MSN50404R7MSB
4.7uH, 3.5A Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
6.8µH, 2.6A, 5040 Индуктивность, Полуэкранированный индуктивность
MSN50406R8MSB
6.8uH, 2.6A Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
8.2µH, 2.4A, 5040 Индуктор питания, Полуэкранированный индуктор
MSN50408R2MSB
8.2uH, 2.4A Полуэкранированный SMD Автомобильный Индуктор...
Подробности Добавить в список
10µH, 2.3A, 5040 Индуктор питания, Полуэкранированный индуктор
MSN5040100MSB
10uH, 2.3A Полуэкранированный SMD Автомобильный Индуктор...
Подробности Добавить в список
15µH, 2A, 5040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
MSN5040150MSB
15uH, 2A Полуэкранированный SMD Автомобильный Индуктор...
Подробности Добавить в список
22µH, 1.6A, 5040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
MSN5040220MSB
22uH, 1.6A Полуэкранированный SMD Автомобильный Индуктор...
Подробности Добавить в список
Скачать 
Как полуукрашенные дроссели могут улучшить эффективность вашей схемы управления питанием, снижая при этом затраты?
Наши полузащищенные дроссели обеспечивают почти полное экранирование ЭМИ за небольшую часть стоимости полностью защищенных компонентов. С покрытием из смолы с магнитными частицами на ферритовых сердечниках, эти дроссели обеспечивают отличную производительность в DC-DC преобразователях и схемах управления питанием, одновременно снижая общие затраты на компоненты. Инженеры сообщают о снижении затрат до 15% без ущерба для производительности схемы или соблюдения норм ЭМИ. Запросите образцы для тестирования в вашем следующем проекте.
Каждый полузащищенный индуктивный компонент производится в соответствии с строгими стандартами качества IATF16949, что обеспечивает стабильную производительность и надежность. Серия 3015 имеет низкопрофильный SMD-дизайн, оптимизированный для приложений с ограниченным пространством, обеспечивая при этом превосходное сдерживание магнитного поля. С 45-летним опытом производства индуктивностей наши полузащищенные индуктивности обеспечивают идеальный баланс производительности, размера и экономической эффективности для современных электронных конструкций, требующих эффективного подавления ЭМИ и управления питанием.