ABC ATEC Полуэкранированные силовые индуктивные элементы | Производство, сертифицированное IATF16949
Полуэкранированные дроссели ABC ATEC имеют ферритовые сердечники с магнитным резиновым покрытием, обеспечивая производительность, подобную экранированию, по более низким ценам. Наша сертифицированная по IATF16949 производственная база гарантирует надежные силовые дроссели для автомобильной, промышленной и потребительской электроники с 45-летним опытом. Ознакомьтесь с нашим обширным ассортиментом полуэкранированных дросселей от 1µH до 22µH.
Полускрытый дроссель
Полускрытый дроссель с клеем, смешанным даже с маленькими частицами магнитного материала, затем покрытый снаружи катушки. Он может обеспечить почти экранирующий эффект при небольшом увеличении стоимости, что является высокоэффективным решением для устройств средней мощности.
47µH, 0.85A, 4030 Силовой индуктивность, Полуэкранированный индуктивность
MSN4030470MSB
47uH, 0.85A Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
100µH, 0.55A, 4030 Силовой индуктивность, Полуэкранированный индуктивность
MSN4030101MSB
100uH, 0.55A Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
0.47µH, 7A, 5030 Силовой индуктивность, Полуэкранированный индуктивность
MSN5030R47YSB
0.47uH, 7A Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
1µH, 5A, 5030 Силовой индуктивность, Полуэкранированный индуктивность
MSN50301R0YSB
1uH, 5A Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
1.5µH, 4.2A, 5030 Силовой индуктивность, Полуэкранированный индуктивность
MSN50301R5YSB
1.5uH, 4.2A Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
Индуктивность 2.2µH, 3.7A, 5030, полуполимерная индуктивность
MSN50302R2YSB
Индуктивность питания 2.2uH, 3.7A с полуполимерным экранированием...
Подробности Добавить в список
Индуктивность 4.7µH, 2.7A, 5030, полуполимерная индуктивность
MSN50304R7YSB
Индуктивность питания 4.7uH, 2.7A с полуполимерным экранированием...
Подробности Добавить в список
Индуктивность 10µH, 1.7A, 5030, экранированная индуктивность
MSN5030100MSB
Индуктивность питания 10uH, 1.7A с полуполимерным экранированием...
Подробности Добавить в список
Индуктивность 15µH, 1.5A, 5030, экранированная индуктивность
MSN5030150MSB
Индуктивность питания 15uH, 1.5A с полуполимерным экранированием...
Подробности Добавить в список
Индуктивность 22µH, 1.3A, 5030, экранированная индуктивность
MSN5030220MSB
Индуктивность питания 22uH, 1.3A с полуполимерным экранированием...
Подробности Добавить в список
47µH, 0.8A, 5030 силовой индуктивность, защищенный индуктивность
MSN5030470MSB
47uH, 0.8A полупокрытый SMD автомобильный силовой индуктивность...
Подробности Добавить в список
33µH, 1A, 5030 силовой индуктивность, полупокрытый индуктивность
MSN5030330MSB
33uH, 1A полупокрытый SMD автомобильный силовой индуктивность,...
Подробности Добавить в список
Скачать 
Как полуукрашенные дроссели могут улучшить эффективность вашей схемы управления питанием, снижая при этом затраты?
Наши полузащищенные дроссели обеспечивают почти полное экранирование ЭМИ за небольшую часть стоимости полностью защищенных компонентов. С покрытием из смолы с магнитными частицами на ферритовых сердечниках, эти дроссели обеспечивают отличную производительность в DC-DC преобразователях и схемах управления питанием, одновременно снижая общие затраты на компоненты. Инженеры сообщают о снижении затрат до 15% без ущерба для производительности схемы или соблюдения норм ЭМИ. Запросите образцы для тестирования в вашем следующем проекте.
Каждый полузащищенный индуктивный компонент производится в соответствии с строгими стандартами качества IATF16949, что обеспечивает стабильную производительность и надежность. Серия 3015 имеет низкопрофильный SMD-дизайн, оптимизированный для приложений с ограниченным пространством, обеспечивая при этом превосходное сдерживание магнитного поля. С 45-летним опытом производства индуктивностей наши полузащищенные индуктивности обеспечивают идеальный баланс производительности, размера и экономической эффективности для современных электронных конструкций, требующих эффективного подавления ЭМИ и управления питанием.