
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
150µH, 1,25A, 1060 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
RN1060151ML
150uH, 1.25A, 1060 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen einen Ferrit-Trommelkern...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen220µH, 1A, 1060 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
RN1060221ML
220uH, 1A, 1060 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen einen Ferrit-Trommelkern...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen330µH, 0,9A, 1060 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
RN1060331ML
330uH, 0.9A, 1060 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen einen Ferrit-Trommelkern...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen470µH, 0,8A, 1060 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
RN1060471ML
470uH, 0.8A, 1060 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor Produktmerkmale umfassen einen Ferrit-Trommelkern...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1µH, 4.2A, 6045 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
RN60451R0YF
1uH, 4.2A, 6045 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferrit-Trommelkerne mit magnetisch...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,3µH, 4A, 6045 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
RN60451R3YF
1,3uH, 4A, 6045 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferrit-Trommelkerne mit magnetisch...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,8µH, 3,7A, 6045 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
RN60451R8YF
1,8uH, 3,7A, 6045 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferrit-Trommelkerne mit magnetisch...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,2µH, 3,5A, 6045 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
RN60452R2YF
2,2uH, 3,5A, 6045 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferrit-Trommelkerne mit magnetisch...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,3µH, 3,2A, 6045 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
RN60453R3YF
3,3uH, 3,2A, 6045 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferrit-Trommelkerne mit magnetisch...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen4,7µH, 3A, 6045 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
RN60454R7YF
4,7uH, 3A, 6045 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferrit-Trommelkerne mit magnetisch...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen6,8µH, 2,8A, 6045 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
RN60456R8YF
6,8uH, 2,8A, 6045 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferrit-Trommelkerne mit magnetisch...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen8,2µH, 2,7A, 6045 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
RN60458R2YF
8,2uH, 2,7A, 6045 semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferrit-Trommelkerne mit magnetisch...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.