
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
1,5µH, 8,15A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN80401R5YF
1,5µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,2µH, 7,1A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN80402R2YF
2,2µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,3µH, 6,5A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN80403R3YF
3,3µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,6µH, 6,5A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN80403R6YF
3,6µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen4,7µH, 5,9A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN80404R7YF
4,7µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen5,6µH, 5,5A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN80405R6YF
5,6µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen6,8µH, 4,55A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN80406R8MF
6,8µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen8,2µH, 4,2A, 8040 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN80408R2MF
8,2µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen10µH, 3.6A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN8040100MF
10µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen12µH, 3.3A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN8040120MF
12µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen15µH, 2.95A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN8040150MF
15µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen18µH, 2.7A, 8040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN8040180MF
18µH, A, 8040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.