
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
220µH, 0,35A, 5020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN5020221MF
220µH, 0,35A, 5020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,24µH, 12A, 5040 Leistungsinduktor, halb abgeschirmter Induktor
ESN5040R24YF
0,24µH, 12A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,47µH, 8,8A, 5040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN5040R47YF
0,47µH, 8,8A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1µH, 7,35A, 5040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50401R0YF
1µH, 7.35A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,5µH, 6,3A, 5040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50401R5YF
1,5µH, 6,3A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,8µH, 6,1A, 5040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50401R8YF
1,8µH, 6,1A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,2µH, 4,9A, 5040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50402R2YF
2,2µH, 4,9A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,7µH, 4,3A, 5040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50402R7YF
2,7µH, 4,3A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,3µH, 3,95A, 5040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50403R3YF
3,3µH, 3,95A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,9µH, 3,55A, 5040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50403R9YF
3,9µH, 3,55A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen4,7µH, 3,5A, 5040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50404R7MF
4,7µH, 3,5A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen5,6µH, 3,2A, 5040 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN50405R6MF
5,6µH, 3,2A, 5040 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.