ABC ATEC Полуэкранированные силовые индуктивные элементы | Производство, сертифицированное IATF16949
Полуэкранированные дроссели ABC ATEC имеют ферритовые сердечники с магнитным резиновым покрытием, обеспечивая производительность, подобную экранированию, по более низким ценам. Наша сертифицированная по IATF16949 производственная база гарантирует надежные силовые дроссели для автомобильной, промышленной и потребительской электроники с 45-летним опытом. Ознакомьтесь с нашим обширным ассортиментом полуэкранированных дросселей от 1µH до 22µH.
Полускрытый дроссель
Полускрытый дроссель с клеем, смешанным даже с маленькими частицами магнитного материала, затем покрытый снаружи катушки. Он может обеспечить почти экранирующий эффект при небольшом увеличении стоимости, что является высокоэффективным решением для устройств средней мощности.
150µH, 1.25A, 1060 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN1060151ML
150uH, 1.25A, 1060 полусекретный SMD индуктивный источник питания...
Подробности Добавить в список
220µH, 1A, 1060 мощный индуктивный элемент, полузащищенный индуктивный элемент
RN1060221ML
220uH, 1A, 1060 Полуэкранированный SMD силовой индуктивность...
Подробности Добавить в список
330µH, 0.9A, 1060 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN1060331ML
330uH, 0.9A, 1060 полускрытый SMD индуктивный элемент. Особенности...
Подробности Добавить в список
470µH, 0.8A, 1060 мощный индуктивный элемент, полузащищенный индуктивный элемент
RN1060471ML
470uH, 0.8A, 1060 Полуэкранированный SMD силовой индуктивность...
Подробности Добавить в список
1µH, 4.2A, 6045 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN60451R0YF
1uH, 4.2A, 6045 полузащищенный SMD силовой индуктивность...
Подробности Добавить в список
1.3µH, 4A, 6045 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN60451R3YF
1.3uH, 4A, 6045 полусекретный SMD силовой индуктивность разработан...
Подробности Добавить в список
1.8µH, 3.7A, 6045 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN60451R8YF
1.8uH, 3.7A, 6045 полусекретный SMD силовой индуктивность...
Подробности Добавить в список
2.2µH, 3.5A, 6045 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN60452R2YF
Индуктивность питания 2.2uH, 3.5A, 6045 с полуполимерным...
Подробности Добавить в список
3.3µH, 3.2A, 6045 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN60453R3YF
Индуктор питания SMD 3.3uH, 3.2A, 6045 с полуполимерным экранированием...
Подробности Добавить в список
4.7µH, 3A, 6045 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN60454R7YF
4.7uH, 3A, 6045 полусекретный SMD силовой индуктивность разработан...
Подробности Добавить в список
6.8µH, 2.8A, 6045 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN60456R8YF
Индуктивность питания 6.8uH, 2.8A, 6045 с полускрытым SMD-дизайном...
Подробности Добавить в список
8.2µH, 2.7A, 6045 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN60458R2YF
Индуктивность питания 8.2uH, 2.7A, 6045 с полуполимерным...
Подробности Добавить в список
Скачать 
Как полуукрашенные дроссели могут улучшить эффективность вашей схемы управления питанием, снижая при этом затраты?
Наши полузащищенные дроссели обеспечивают почти полное экранирование ЭМИ за небольшую часть стоимости полностью защищенных компонентов. С покрытием из смолы с магнитными частицами на ферритовых сердечниках, эти дроссели обеспечивают отличную производительность в DC-DC преобразователях и схемах управления питанием, одновременно снижая общие затраты на компоненты. Инженеры сообщают о снижении затрат до 15% без ущерба для производительности схемы или соблюдения норм ЭМИ. Запросите образцы для тестирования в вашем следующем проекте.
Каждый полузащищенный индуктивный компонент производится в соответствии с строгими стандартами качества IATF16949, что обеспечивает стабильную производительность и надежность. Серия 3015 имеет низкопрофильный SMD-дизайн, оптимизированный для приложений с ограниченным пространством, обеспечивая при этом превосходное сдерживание магнитного поля. С 45-летним опытом производства индуктивностей наши полузащищенные индуктивности обеспечивают идеальный баланс производительности, размера и экономической эффективности для современных электронных конструкций, требующих эффективного подавления ЭМИ и управления питанием.